Prof. dr hab. Detlef Hommel pracuje nad nowymi materiałami i rozwiązaniami do utworzenia emiterów głębokiego UV o wysokiej wydajności.

Prof. Detlef Hommel specjalizuje się w dziedzinie nowoczesnych materiałów do zastosowań w fotonice i elektronice, koncentrując się na optoelektronice tj. dziedzinie emiterów światła bazujących na różnych półprzewodnikach.

Obecnie skupiamy się na obszarze promieniowania ultrafioletowego, zwłaszcza o długości fali 200-280 nm (UV-C)- mówi profesor.

W ramach projektu „New efficient deep-UV emitters for Life Science Applications” Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, zespół prof. Hommela we współpracy z Philips Polska, opracowuje nowatorskie rozwiązania dla ultrafioletowych diod elektroluminescencyjnych (LED-UV). Są one przyjazne dla środowiska i działają przy niskich napięciach stałych. Mogą być więc zasilane przez małe mobilne ogniwa słoneczne lub baterie. Jednak największą ich zaletą jest możliwość dostrojenia długości emitowanej fali i uzyskania selektywnego spektrum działania, najbardziej odpowiedniego do danego zastosowania. Tego typu źródła światła mogą być używane m.in. do sterylizacji narzędzi i pomieszczeń oraz do oczyszczania wody, zastępując dotychczas stosowane lampy rtęciowe.

Według danych UNESCO, ponad 700 milionów ludzi na świecie nie ma dostępu do czystej wody. Do odkażenia np. szklanki wody można by zastosować  źródło półprzewodnikowe wielkości długopisu, emitujące w sposób wydajny głębokie UV w określonej jednostce czasowej- wyjaśnia.

Problem polega na tym, że przy długościach fali warunkujących działanie bakteriobójcze i wirusobójcze tj. około 250 nm, obecnie dostępne diody UV-LED cechuje bardzo niska wydajność. Wynika to z właściwości azotków glinu i galu (AlGaN), które stosuje się przy wytwarzaniu tych emiterów. Są to materiały trudno domieszkowalne.- uzupełnia prof. Hommel.

Dodając do AlGaN niewielkie ilości arsenu uzyskano większą ilość nośników, zwłaszcza tzw. dziur, poprawiając tym samym wydajność emiterów.

W ramach projektu Narodowego Centrum Nauki pt. „Nowa klasa półprzewodników III-N rozrzedzonych arsenem: właściwości optyczne, strukturalne i elektryczne” naukowiec podjął się realizacji kolejnego nowatorskiego pomysłu badając wpływ dodania arsenu na inne własności takich półprzewodników. Projekt ten stał się podwaliną do kolejnych projektów badawczych wprowadzając dodatkowo bor do takich struktur.

Joanna Laskowska

Na zdjęciu: prof. dr hab. Detlef Hommel.

 

ZOSTAW ODPOWIEDŹ

Wpisz komentarz!
Wprowadź swoje imię

*